高可靠性氮化镓电力电子器件
项目背景
GaN 器件的潜在应用市场十分广阔，覆盖电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等为代表的各个民用领域。GaN 材料应用于电力电子器件，能够突破硅材料对器件性能的限制，实现高频、高效率、高功率密度、耐高温和高可靠性的功率器件。本方向研究600 V，1-10 A 硅基氮化镓三极管器件，要求击穿电压BVds 大于600 V，漏电Id 小于10 μA，阈值电压Vth 大于2 V ；满足高频、快速、小体积、低损耗等应用需求。
简介
CMOS中低压力化学气相沉积法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition LPCVD）绝缘薄膜生长技术，实现高质量的绝缘介质层；研究绝缘栅介质生长前预处理的方法，改善半导体/介质层的界面态，制作高质量绝缘栅介质，减小漏电流。
合作
  • 合作方式 技术合作
  • 项目负责人 刘雯
技术优势
无金工艺，成本低，栅极耐压高、漏电小。
应用场景
GaN 器件的潜在应用市场十分广阔，覆盖电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等为代表的各个民用领域。
知识产权
1、一种提升氮化镓晶体管击穿电压的方法 CN110648914B
2、一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法 CN110676172B
3、一种pGaN FinFET制备方法 CN116666436B