具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法
项目背景
忆阻器的低压、高速、低功耗等特点与生物神经系统中连接不同神经元的突触的工作机制非常相似，使其非常适合作为突触器件用于构造神经形态仿脑芯片，进而用于人工神经网络，其可变化的多重阻态可以被用来模拟人脑中神经突触的功能，并开发出具有类人脑突触的具有长期可塑性的电子器件。但是目前基于忆阻器的仿生突触器件存在的工作电压高、功耗大、高低阻的比值小的问题。
简介
本申请涉及一种具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括由上至下设置的顶电极层，双层阻变氧化层和基底；所述双层阻变氧化层分别为氧化镓层和氧化铝层，所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该具有双层阻变氧化层的忆阻器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备，并获得类人脑神经突触活动的长期可塑性性能。
合作
- 合作方式 技术合作/技术商业化/技术咨询/技术融资
- 项目负责人 赵春
技术优势
相比于单层纯金属氧化层的忆阻器，本发明得到的忆阻器的阻变效果更好，功耗小、工作电压小，器件的耐受性和稳定性也有所提高。采用纯溶液法制备，操作简单方便，成本低。实现了类突触器件的长期可塑性。
应用场景
阻变存储器，人工突触器件，神经网络系统，仿生设备等。
知识产权
具有类突触长期可塑性的忆阻器及其制备方法
