一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器
- 公开号
CN210272426U
- 申请号
CN201920971159.6.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2019-06-26
- 授权日期
2020-04-07
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
沈棕杰 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉 | 罗天 | 张艺 | 黄彦博
技术功效
[0022]本实用新型的优点是：
[0023]1）采用纯溶液法制备阻变氧化层，操作简单方便，实现了低成本的RRAM制备，设备和和原料投资较少可用于大面积RRAM器件的制备，实现大规模工业应用；
[0024]2）相比于传统工艺制作单层或叠层纯金属氧化层的RRAM器件，阻变效果更好，针对置位（SET）和复位（RESET）过程所需要的电压较小，其绝对值小于2 V，掺杂金属氧化层使得器件的耐受性和稳定性也有所提高；
[0025]3）使用单质金属或单质金属化合物材料作为顶电极，替代了传统的氧化物材料上电极，进一步降低了成本和优化了制备工艺。
