一种制备致密硫化镉薄膜的装置
  • 公开号
    CN205035462U
  • 申请号
    CN201520721634.6.0
  • 专利类型
    实用新型
  • 申请日期
    2015-09-17
  • 授权日期
    2016-02-17
  • IPC主分类号
    对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
摘 要
本实用新型公开了一种制备致密硫化镉薄膜的装置,包括自上而下依次设置的:水箱,所述水箱内部装有水和反应容器,所述反应容器内装有至少一块衬底、反应溶液和磁子,同时在所述水箱底部设置至少一个超声波振子或在所述水箱内部设有超声波振板;磁力搅拌器,设于所述水箱底部,并控制所述反应溶液温度和所述磁子转速;以及超声波发生器,位于磁力搅拌器下方。本实用新型的优点在于,不仅操作简单,成品质量高,成本低,稳定性高,而且既能够实现对化学水浴法中反应溶液的均匀充分搅拌,又能够减少大颗粒和团簇的附着,有助生长均匀致密的大尺寸硫化镉薄膜。
当前申请(专利权)人
西交利物浦大学
发明人
吴京锦 | 刘晨光 | 赵策洲 | 汤楚帆 | 柳鋆
技术功效
[0025]本实用新型的优点是: [0026]1.本实用新型不仅操作简便,成本低,稳定性高,而且利用磁力搅拌功能对反应溶液进行充分均匀搅拌,利用超声波振动清洗功能不断除掉附着不牢固的大颗粒和团簇,实现超声波清洗和磁力搅拌一体化,使得化学水浴法制得的硫化镉薄膜更为致密,减少反应物表面的大颗粒以及其他杂质,制备更加优良的纳米级硫化镉薄膜。