一种双氧化层RRAM
- 公开号
CN209747558U
- 申请号
CN201920491530.9.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2019-04-12
- 授权日期
2019-12-06
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In2O3和Al2O3双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，实用新型所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本实用新型对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
沈棕杰 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉 | 罗天 | 张艺 | 孙艺
标题
技术功效
[0040]与现有技术相比，本实用新型具有如下技术效果：
[0041]1)采用纯溶液法制备阻变氧化层，操作简单方便，实现了低成本的RRAM制备，设备和和原料投资较少可用于大面积RRAM器件的制备，实现大规模工业应用；
[0042]2)相比于传统工艺制作单层阻变氧化层的RRAM器件，阻变效果更好，针对置位(SET)和复位(RESET)过程所需要的电压较小，其绝对值在1～2V之间，双层阻变氧化层使得器件的耐受性和稳定性也有所提高；
[0043]3)使用单质金属或单质金属化合物材料作为顶电极，替代了传统的氧化物材料上电极，进一步降低了成本和优化了制备工艺。
