一种锗基MOS器件
- 公开号
CN205177850U
- 申请号
CN201520779331.X.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2015-10-09
- 授权日期
2016-04-20
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型提供了一种ALD沉积高k值材料的锗基MOS器件衬底的表面钝化方法及得到的锗基MOS器件，该锗基MOS器件，其结构依次由：锗衬底层，钝化层，高k值栅极介质层和金属电极构成，所述钝化层为锗衬底层表面的Ge-R键，所述的高k值栅介质选自Al2O3、Ti2O3、HfO2、ZrO2、La2O3中的任一种或者两种以上相互掺杂。本实用新型的锗基MOS器件为羟基对锗衬底表面的钝化，有效地减小锗衬底与栅介质之间的界面态密度，明显提高了钝化效果。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
陆骐峰 | 吴京锦 | 赵策洲
标题
技术功效
[0024]相比于现有技术中的解决方案，本实用新型的有益效果是：
[0025]与在高k值材料和衬底之间插入一层钝化层的现有技术钝化方法相比，本实用新型的制备方法得到的锗基MOS器件不会在衬底表面形成一层介电常数较低的氧化物层，避免介电损失，能用显著提高氧化层介质的介电常数，从而降低等效氧化物厚度。与用卤素来钝化衬底表现相比，Ge-C键(Ge-CH3之间的链接键)的键能(460kJ/mol)比Ge-卤素的键能大(Ge-Cl键的键能为356kJ/mol,Ge-Br为276kJ/mol,Ge-I为213kJ/mol)。本实用新型中，羟基对界面进行钝化的效果比卤素的效果要好。
