一种半导体器件瞬态电容的测试系统
- 公开号
CN204575748U
- 申请号
CN201520179612.1.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2015-03-27
- 授权日期
2015-08-19
- IPC主分类号
测量；测试
摘 要
本实用新型公开了一种半导体器件瞬态电容的测试系统，包括信号发生模块、信号放大模块、信号录制模块和计算机；所述信号发生模块用于发出周期大于20us，幅值为100-300mv，电压变化率小于33333V/S的脉冲电压信号；所述信号放大模块用于将被测材料输出的电流信号经放大后转化为电压信号；所述信号录制模块用于录制信号放大模块输出的电压信号，绘制电压曲线，通过电压曲线计算瞬态电容；所述计算机安装有电子仪器控制环境，用于控制和处理数据。通过实验室普遍拥有的仪器实现半导体器件的高精度瞬态电容谱测量及绘制系统，并通过程序自动控制的方法，控制测试系统自动得到测量数据，提高瞬态电容的测试极限。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
吴京锦 | 赵策洲 | 刘晨光
技术功效
[0015]1、本实用新型的系统只需要使用基本的实验室仪器，就能达到可以与现行系统比肩的测试结果。对于传统的电容电感电阻测试系统（Agilent 4284A 和 Agilent 4275A）其测试系统无法在极端时间内得到连续的时间-电容曲线。这些传统的电容电感电阻测试仪器设备，电容测试间隔时间为数十毫秒。而对于本系统，电容测试间隔时间为数十微秒。
[0016] 2、本实用新型的波形录制，可以在快速测试电容的同时，实现与传统测试系统一样的长时间数据录制功能。
[0017] 3、本实用新型的波形录制，可以在测试电容的同时，通过记录波形，记录下对应于电容的电压信息，从而避免了机器之间对每个测得电容数据的读取、写入的传输时间，大幅度提高了瞬态电容的极限。
