
一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管
- 公开号
CN209747523U
- 申请号
CN201920491294.0.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2019-04-12
- 授权日期
2019-12-06
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型公开了一种基于纳米簇绝缘层的高性能薄膜晶体管,包括衬底、电极、绝缘层和半导体层;所述电极分为栅电极、源电极和漏电极;所述衬底上设置有绝缘层;所述绝缘层和衬底之间设置有栅电极;所述绝缘层上设置有半导体层;所述半导体层上设置有源电极和漏电极。本实用新型半导体层的结合能较高,比较稳定,具有很高的抗偏压、抗辐射特性;制备中通过深紫外退火,起到提高整个器件性能、匹配柔性衬底温度的作用;本工艺流程具有工艺简单、可在空气中低退火温度下进行的优点,生产成本较低。
当前申请(专利权)人
西交利物浦大学
发明人
赵天石 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉
技术功效
[0020]1.半导体层的金属-氧键(M-O)结合能较高,比较稳定,具有很高的抗偏压、抗辐射特性;
[0022]3. 本工艺流程具有工艺简单、可在空气中低退火温度下进行的优点;
[0023]4. 生产成本较低,同时由于有源层具有良好的光吸收特性,可在光学领域中有重要应用。