西交利物浦大学

吴京锦 | 赵策洲 | 刘晨光

一种PN结瞬时电容能谱测量系统

[0020]1．采用各实验室常见的基本电子仪器（包括示波器、脉冲发生器和电流放大器），在程序的控制下，在以室温为本底温度的环境下，完成对器件的测试。本测试方法相比较于传统方法，把测试极限从30-50毫秒提高到了5毫秒，大大提高了测量极限。同时，把测试频率从30毫秒每点提高到了0.1毫秒每点。这个测试系统和测试方法能够实现电容的瞬态测量（微秒级），可用于太阳电池深能级缺陷的研究。也可用于MOS器件深能级缺陷的研究。特别的，可以用于具有电容性质的器件（包括PN结的半导体器件）的电容测量和深能级缺陷的研究。 [0021]2．所用的电子测量仪器是实验室常见的成本较低的设备，测量环境是以室温为本底，逐渐升高温度，避免了用液氮、液氦等提供超低的测量温度和测量环境。可以应用于各种具有电容性质的器件（包括但不限于PN结半导体器件）。 [0022]3．本实用新型通过程序自动控制，简化了测量步骤，大大减少人为的操作误差，在得到精准数据的同时，简化了新型半导体材料的测试过程。并且通过已建立的数学模型方便的绘出电容变化曲线，减轻了研究者的数据计算工作，为极短时间内的电容快速测量提供了一个轻便，有效的方法。