一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件
  • 公开号
    CN210866188U
  • 申请号
    CN201920977069.8.0
  • 专利类型
    实用新型
  • 申请日期
    2019-06-26
  • 授权日期
    2020-06-26
  • IPC主分类号
    基本电气元件
摘 要
本实用新型公开了一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件，包括从下到上依次设置的栅电极，高掺硅衬底，介电层，半导体层，上金属电极；所述上金属电极包括源电极和漏电极。本案可提高薄膜晶体管器件的抗辐射性的；薄膜晶体管器件的性能稳定可靠；在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
方欲晓 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉
标题
一种用双氧水提高抗辐射性的薄膜晶体管器件
技术功效
[0024]2、薄膜晶体管器件的性能稳定可靠； [0025]3、在工艺上与传统工艺兼容，能有效控制了制备成本。