一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件
- 公开号
CN209747510U
- 申请号
CN201920491337.5.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2019-04-12
- 授权日期
2019-12-06
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型公开了一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，包括下电极、基底、氧化物层和上电极；所述基底下部设置有下电极；所述基底上部设置有氧化物层；所述氧化物层上面设置有上电极；所述氧化物层为硅酸铪。本实用新型采用高介电常数材料硅酸铪制备半导体器件，具有较好的抗辐射性，满足了半导体器件需要长时间在辐射环境下稳定可靠工作的需求；减少了器件的功耗，在相同的等效厚度下，减少了器件的漏电；在提高抗辐射性的同时，其制备工艺与传统半导体工艺兼容，控制了制备成本。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
方欲晓 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉
技术功效
[0019]1、采用高介电常数材料硅酸铪制备半导体器件，与传统的基于二氧化硅的半导体器件相比，具有较好的抗辐射性，满足了半导体器件需要长时间在辐射环境下稳定可靠工作的需求；
[0020]2、高介电常数材料硅酸铪的应用，与传统的基于二氧化硅的半导体器件相比减少了器件的功耗，在相同的等效厚度下，减少了器件的漏电；
[0021]3、在提高抗辐射性的同时，其制备工艺与传统半导体工艺兼容，控制了制备成本。
