一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管
- 公开号
CN209747522U
- 申请号
CN201920490045.X.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2019-04-12
- 授权日期
2019-12-06
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。本实用新型是成本低廉，工艺简单，安全环保的薄膜晶体管。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
刘启晗 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉
技术功效
[0021]本实用新型的优点是：
[0022]1、双层金属氧化物半导体异质结可以通过异质结的制备在两层金属氧化物半导体层中形成了二维电子气，极大的提高了薄膜晶体管的电学性能；
[0023]2、溶液燃烧法绝缘层制备方法可以提供极高的绝缘层电容值以及高质量的绝缘层薄膜；
[0024]3、通过处理过程中前驱体溶液内的氧化还原反应放热，极大的降低了制备温度，制备成本低且降低了薄膜晶体管的工作电压以及回滞，最高退火温度不超过150℃，可以应用于Pi等柔性基底上；
[0025]4、低温下制备高质量的栅极绝缘层，可以提供极高的电容值以及极低的漏电流，相比于传统的SiO2栅极绝缘层极大地提高了薄膜晶体管的电学性能，降低了工作电压。
