一种CTM存储器
- 公开号
CN210866243U
- 申请号
CN201920491559.7.0
- 专利类型
实用新型
- 申请日期
2019-04-12
- 授权日期
2020-06-26
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本实用新型属于电子器件技术领域，公开了氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机混合CTM存储器及其制备方法，CTM存储器包括由下至上层叠设置的下电极，基底，存储层和上电极层；所述存储层为含有氧化锆和硅酸锆纳米颗粒的有机无机材料混合层。本实用新型采用溶液法制备存储层，实现低成本CTM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。此外，本实用新型采用的制备方法制备出的存储层同时具有隧穿层，存储层和阻挡层的作用，降低了工艺难度，减少了复杂工艺导致的器件性能的退化。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
方欲晓 | 赵春 | 赵策洲 | 杨莉
标题
技术功效
[0022]与现有技术相比，本实用新型具有如下技术效果：
[0023]1)本实用新型CTM存储器的存储层具有均匀分布的氧化锆和硅酸锆纳米颗粒，使得包裹纳米颗粒硅氧烷同时具有隧穿层和阻挡层的作用，相比于传统工艺多次制备薄膜层的复杂流程，减少了了制备过程隧穿层和阻挡层过程中导致的器件退化。
[0024]2)本实用新型采用纯溶液法制备存储层，操作简单方便，实现了低成本的CTM制备，设备和和原料投资较少可用于大面积CTM器件的制备，实现大规模工业应用。
[0025]3)本实用新型使用单质金属或单质金属化合物材料作为上电极，替代了传统的氧化物材料上电极，进一步降低了成本和优化了制备工艺。
