
一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统
- 公开号
CN105974294B
- 申请号
CN201610518949.X.0
- 专利类型
授权发明
- 申请日期
2016-07-05
- 授权日期
2018-11-27
- IPC主分类号
测量;测试
摘 要
本发明公开了一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统,包括半导体器件γ射线测试探针台和提供偏压‑脉冲测试的测量模块,所述测试探针台上安装有内置放射源的铅容器、自动取片器、和四个可程控的探针臂,其中三个探针臂上分别安装有一支探针,另一个探针臂上安装有显微镜,三支探针分别与所述偏压‑脉冲测量模块连接。本发明对半导体器件进行高精度远程置片、扎针,之后通过可程控的提供偏压‑脉冲测试的测量模块对半导体器件辐射损伤进行在线测试,并可以在待测器件被辐射的同时施加偏压,快速保存测量数据。使用该系统置片、扎针、取片精准高效,提高了测试效率与测试精度,避免了传统辐射测量手段带来的辐射损伤退化。
当前申请(专利权)人
西交利物浦大学
发明人
慕轶非 | 赵策洲
技术功效
[0014]本发明的优点是:
[0015]本发明可程控自动辐射探针系统对半导体器件进行高精度远程置片、扎针,之后通过可程控的提供偏压-脉冲测试的测量模块对半导体器件辐射损伤进行在线测试,并可以在待测器件被辐射的同时施加偏压,快速保存测量数据。使用该系统置片、扎针、取片精准高效,提高了测试效率与测试精度,避免了传统辐射测量手段带来的辐射损伤退化。