基于石墨烯的纳米花形硅铜合金电极材料及其制备方法与应用
  • 公开号
    CN109599534B
  • 申请号
    CN201811442530.6.0
  • 专利类型
    授权发明
  • 申请日期
    2018-11-29
  • 授权日期
    2021-04-27
  • IPC主分类号
    基本电气元件
摘 要
一种电化学能源技术领域基于石墨烯的纳米花形硅铜合金电极材料及其制备方法与应用,利用电化学沉积刻蚀技术,先在柔性石墨烯基底上制备纳米花形氧化铜,为下一步引入硅提供了良好的模板;再先后通过等离子增强化学气相沉积技术沉积硅以及对氧化铜进行还原处理,使得铜能够通过还原扩散的方式与外部的硅相结合,形成硅铜合金,大大提高了硅的导电性,从而为锂电池充放电过程中嵌锂脱锂提供良好快速的通道,提升电池的循环性能。
当前申请(专利权)人
西交利物浦大学
发明人
刘晨光 | 赵胤超 | 易若玮 | 杨莉 | 赵策洲
技术功效
[0025]与现有技术相比,本发明利用电化学沉积刻蚀技术,先在柔性石墨烯基底上制备纳米花形氧化铜,直径为3.5~4.5μm,每个花瓣的宽度可达200nm、长度可达1μm,为下一步引入硅提供了良好的模板;基于此花形结构的硅铜合金电极材料能够大大缓解硅嵌锂脱锂引起的体积膨胀所带来的材料内部应力,从而保持结构稳定性,提高循环性能;且先通过等离子增强化学气相沉积技术沉积硅再通过对氧化铜进行还原处理,使得铜能够通过还原扩散的方式与外部的硅相结合,形成硅铜合金,大大提高了硅的导电性,从而为锂电池充放电过程中嵌锂脱锂提供良好快速的通道,提升电池的循环性能。