氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池及其制备方法
- 公开号
CN104992987B
- 申请号
CN201510339381.0.0
- 专利类型
授权发明
- 申请日期
2015-06-18
- 授权日期
2016-11-23
- IPC主分类号
基本电气元件
摘 要
本发明公开了一种氟化石墨烯薄膜作为高阻层的太阳能电池。在太阳能电池中，电池的结构从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。0.34~20nm厚的氟化石墨烯薄膜代替本征氧化物作为新型高阻层，可以减少不同薄膜之间原子的扩散，提高界面性质，可以避免因窗口层薄膜的针孔效应引起的电池短路，进一步提高电池的效率。相比于传统高阻层，厚度较薄的氟化石墨烯薄膜更有益于电子的隧穿效应，以及电子的转移和收集。
当前申请（专利权）人
西交利物浦大学
发明人
吴京锦 | 赵策洲 | 赵胤超
技术功效
[0021]本发明的优点是：
[0022]1）本发明所提出的太阳能电池的制备方法，成本低廉，操作方便。而且生产的氟化石墨烯薄膜纯度高，质量好。
[0023]2）氟化石墨烯具有比传统高阻层具有更薄的物理厚度所以有更好的光传输率，提高了太阳能电池的光转换效率。
[0024]3）氟化石墨烯能作为钝化层，抑制金属薄膜表面被氧化和阻挡不同薄膜之间原子的扩散，减少了热退火过程中玻璃中的钠离子进入PN结耗尽层以及窗口层扩散进入透明导电薄膜层，保证了器件的可靠性。
[0025]4）氟化石墨烯具有比传统高阻层具有更薄的物理厚度，所以促进了电子的隧穿效应，从而使电子更容易扩散到透明导电薄膜电极端，使得电子空穴对有效的分离，提高了太阳能电池的光转换效率。
