碲铜化合物纳米材料的制备方法
  • 公开号
    CN104609379B
  • 申请号
    CN201510050155.0.0
  • 专利类型
    授权发明
  • 申请日期
    2015-01-30
  • 授权日期
    2017-04-19
  • IPC主分类号
    无机化学
摘 要
本发明公开了一种碲铜化合物纳米材料的制备方法,与薄膜太阳电池背接触重掺杂层相关。本发明碲铜化合物纳米材料的制备方法为,首先将铜粉放入管式炉中加热烘烤,然后把铜粉放在有机酸‑‑‑无机酸混合液中腐蚀,经过去离子水反复冲洗之后,放在等离子清洗机中处理一段时间,最后把处理后铜粉和碲粉按一定的化学配比进行混合,把混合物置于在行星式球磨机的球磨罐中密封,对材料进行多次研磨加热,每个循环的加热温度逐步升高,最后可得到化学配比可调的碲铜化合物纳米粉末。所得的CuxTe纳米粉末可以大幅度提高纯度,化学配比固定,该材料能够应用于碲化镉薄膜太阳能电池的背接触电极中。并且在整个制备过程都是封闭的,不会对环境和操作人造成污染。
当前申请(专利权)人
西交利物浦大学
发明人
吴京锦 | 赵策洲
技术功效
[0025]本发明的优点在于,(1)所得的CuxTe纳米粉末大幅度提高纯度,整个制备过程是在密闭的球磨罐中进行的,避免了高温反应过程中碲单质的流失,从而精确地控制了反应生成物的化学配比; [0026](2)此外,整个制备过程不涉及真空环境、溶液环境、强酸环境,因而降低了能量损耗,也对太阳电池的衬底没有要求。密闭的制备环境也避免了对环境和操作人员的污染。